3: FETs
- Page ID
- 34450
\( \newcommand{\vecs}[1]{\overset { \scriptstyle \rightharpoonup} {\mathbf{#1}} } \) \( \newcommand{\vecd}[1]{\overset{-\!-\!\rightharpoonup}{\vphantom{a}\smash {#1}}} \)\(\newcommand{\id}{\mathrm{id}}\) \( \newcommand{\Span}{\mathrm{span}}\) \( \newcommand{\kernel}{\mathrm{null}\,}\) \( \newcommand{\range}{\mathrm{range}\,}\) \( \newcommand{\RealPart}{\mathrm{Re}}\) \( \newcommand{\ImaginaryPart}{\mathrm{Im}}\) \( \newcommand{\Argument}{\mathrm{Arg}}\) \( \newcommand{\norm}[1]{\| #1 \|}\) \( \newcommand{\inner}[2]{\langle #1, #2 \rangle}\) \( \newcommand{\Span}{\mathrm{span}}\) \(\newcommand{\id}{\mathrm{id}}\) \( \newcommand{\Span}{\mathrm{span}}\) \( \newcommand{\kernel}{\mathrm{null}\,}\) \( \newcommand{\range}{\mathrm{range}\,}\) \( \newcommand{\RealPart}{\mathrm{Re}}\) \( \newcommand{\ImaginaryPart}{\mathrm{Im}}\) \( \newcommand{\Argument}{\mathrm{Arg}}\) \( \newcommand{\norm}[1]{\| #1 \|}\) \( \newcommand{\inner}[2]{\langle #1, #2 \rangle}\) \( \newcommand{\Span}{\mathrm{span}}\)
- 3.1: Вступ до МОП-транзисторів
- Введення в MOSFET, пристрій під назвою метал-оксид-напівпровідниковий польовий транзистор.
- 3.2: Основна структура МОП
- Обговорюємо основну структуру МОП. Включає обговорення оксидної ємності, шарів накопичення та інверсії, а також порогової та порогової напруги.
- 3.3: порогова напруга
- Процес з'ясування порогового напруги.
- 3.4: MOS транзистор
- Введення в МОП-транзистор, особливо його структура (джерело, канал, і затвор) і деякі атрибути.
- 3.5: MOS-режими
- Введення рівняння Саха та обговорення деяких властивостей цього рівняння.
- 3.6: Побудова креслення МОС I-V
- Побудова MOS\(I\) проти\(V\) відносин та начерки їх поведінки.
- 3.7: Моделі
- Представляємо модель MOSEFT та обговорюємо її переваги перед біполярним транзистором.
- 3.8: Інвертори та логіка
- Представляємо схему інвертора та побудови схем, які виконують функції NOR і NAND на основі цієї схеми інвертора.
- 3.9: Транзисторні навантаження для інверторів
- Обговорення деяких інших видів МОП-транзисторів та транзисторних навантажень для інверторів.
- 3.10: Логіка CMOS
- Представляємо додатковий МОП, включаючи те, як зробити транзистор p-каналу і як це працює.
- 3.11: JFET
- Як працюють JFET (транзистори з польовим ефектом переходу).
- 3.12: Електростатичний розряд і Latch-Up
- Проблеми, які можуть вплинути на схеми МОП.